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घटकों की चीन की सबसे बड़ी वन-स्टॉप खरीद
| ब्रांड नाम: | Vishay Semiconductor |
|---|---|
| मॉडल संख्या: | SIHF10N40D-E3 |
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1 टुकड़ा |
| प्रसव के समय: | 2~8 कार्यदिवस |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी |
| ब्रैंड: | विषय सेमीकंडक्टर | प्रमाणपत्र: | / |
|---|---|---|---|
| नमूना: | SIHF10N40D-E3 | MOQ: | 1 पीसी |
| मूल्य: | Negotiated | वितरण: | 2~8 कार्यदिवस |
| भुगतान: | टी/टी | ||
| हाई लाइट: | एन चैनल असतत अर्धचालक उपकरण,EAR99 असतत अर्धचालक उपकरण,SIHF10N40D-E3 |
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एन चैनल ट्रांजिस्टर असतत अर्धचालक SIHF10N40D-E3 पावर मॉसफेट्स
| यूरोपीय संघ RoHS | अनुरूप |
| ईसीसीएन (अमेरिका) | EAR99 |
| भाग की स्थिति | सक्रिय |
| एचटीएस | 8541.29.00.95 |
| मोटर वाहन | नहीं |
| पीपीएपी | नहीं |
| उत्पाद श्रेणी | पावर MOSFET |
| विन्यास | अकेला |
| चैनल मोड | वृद्धि |
| चैनल प्रकार | एन |
| प्रति चिप तत्वों की संख्या | 1 |
| अधिकतम नाली स्रोत वोल्टेज (वी) | 400 |
| अधिकतम गेट स्रोत वोल्टेज (वी) | ± 30 |
| अधिकतम गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (वी) | 5 |
| अधिकतम निरंतर नाली वर्तमान (ए) | 10 |
| अधिकतम गेट स्रोत रिसाव वर्तमान (एनए) | 100 |
| अधिकतम आईडीएसएस (यूए) | 1 |
| अधिकतम नाली स्रोत प्रतिरोध (एमओएचएम) | 600@10वी |
| विशिष्ट गेट चार्ज @ वीजीएस (एनसी) | 15@10वी |
| विशिष्ट गेट चार्ज @ 10V (एनसी) | 15 |
| विशिष्ट इनपुट कैपेसिटेंस @ वीडीएस (पीएफ) | 526@100वी |
| अधिकतम बिजली अपव्यय (मेगावाट) | 33000 |
| विशिष्ट पतन समय (एनएस) | 14 |
| विशिष्ट उदय समय (एनएस) | 18 |
| विशिष्ट टर्न-ऑफ विलंब समय (एनएस) | 18 |
| विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय (एनएस) | 12 |
| न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान (डिग्री सेल्सियस) | -55 |
| अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान (डिग्री सेल्सियस) | 150 |
| आपूर्तिकर्ता पैकेज | TO-220FP |
| पिन काउंट | 3 |
| मानक पैकेज का नाम | को-220 |
| बढ़ते | छेद के माध्यम से |
| पैकेज ऊंचाई | 16.12 (अधिकतम) |
| पैकेज की लंबाई | 10.63 (अधिकतम) |
| पैकेज की चौड़ाई | 4.83 (अधिकतम) |
| पीसीबी बदल गया | 3 |
| टैब | टैब |
| लीड आकार | छेद के माध्यम से |
| भाग संख्या | SIHF10N40D-E3 |
| आधार भाग संख्या | SIHF10N40 |
| यूरोपीय संघ RoHS | छूट के साथ अनुपालन |
| ईसीसीएन (अमेरिका) | EAR99 |
| भाग की स्थिति | सक्रिय |
| एचटीएस | 8541.29.00.95 |
