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घटकों की चीन की सबसे बड़ी वन-स्टॉप खरीद
| ब्रांड नाम: | Infineon Technologies/International Rectifier IOR |
|---|---|
| मॉडल संख्या: | IRF1404ZPBF |
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 1 टुकड़ा |
| प्रसव के समय: | 2~8 कार्यदिवस |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी |
| ब्रैंड: | इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज/इंटरनेशनल रेक्टिफायर IOR | प्रमाणपत्र: | / |
|---|---|---|---|
| नमूना: | IRF1404ZPBF | MOQ: | 1 पीसी |
| मूल्य: | Negotiated | वितरण: | 2~8 कार्यदिवस |
| भुगतान: | टी/टी | ||
| हाई लाइट: | 200W एन चैनल ट्रांजिस्टर,180A एन चैनल ट्रांजिस्टर,IRF1404ZPBF |
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उत्पाद वर्णन
IRF1404ZPBF ट्रांजिस्टर N-चैनल 180A 200W होल TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs के माध्यम से
एन-चैनल 180A (Tc) 200W (Tc) होल TO-220AB के माध्यम से विशिष्टता:
श्रेणी | असतत अर्धचालक उत्पाद |
ट्रांजिस्टर - FETs, MOSFETs - सिंगल | |
एमएफआर | इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज |
श्रृंखला | हेक्सफेट® |
पैकेट | नली |
एफईटी प्रकार | n- चैनल |
तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss) | 40 वी |
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 180ए (टीसी) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडी चालू, न्यूनतम आरडी चालू) | 10वी |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 3.7mOhm @ 75A, 10V |
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @ आईडी | 4वी @ 250μA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 150 एनसी @ 10 वी |
वीजीएस (अधिकतम) | ±20वी |
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 4340 पीएफ @ 25 वी |
एफईटी फ़ीचर | - |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 200W (टीसी) |
परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | छेद के माध्यम से |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | टू-220AB |
पैकेज / केस | TO-220-3 |
आधार उत्पाद संख्या | आईआरएफ1404 |
विवरण
यह HEXFET® पावर MOSFET प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में अत्यंत कम प्रतिरोध प्राप्त करने के लिए नवीनतम प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करता है।
इस उत्पाद की अतिरिक्त विशेषताएं 175 डिग्री सेल्सियस जंक्शन ऑपरेटिंग तापमान, तेज स्विचिंग गति और बेहतर दोहराव वाले हिमस्खलन रेटिंग हैं।ये विशेषताएं इस डिज़ाइन को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाने के लिए जोड़ती हैं।
